[发明专利]半导体光元件有效
| 申请号： | 201880032645.X | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110637400B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 中尾亮;硴塚孝明;松尾慎治 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请实现一种半导体光元件，该半导体光元件兼顾散热和光限制，高效地注入电流或施加电场。所述半导体光元件设有：芯层，包括活性区域(1)，该活性区域(1)包括化合物半导体；两个包层(5、6)，注入电流至所述芯层；以及第三包层(4)，构成为包含热传导率比所述芯层、所述两个包层中的任一个大，折射率比所述芯层、所述两个包层中的任一个小，带隙比所述芯层、所述两个包层中的任一个大的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光元件，包括：/n第一芯层，包括活性区域，该活性区域包括化合物半导体；/n第一包层和第二包层，夹持所述第一芯层，所述第一包层包括p型半导体，所述第二包层包括n型半导体；以及/n第三包层，/n所述半导体光元件的特征在于，/n所述第三包层构成为包含热传导率比所述第一芯层、所述第一包层以及所述第二包层中的任一个大，折射率比所述第一芯层、所述第一包层以及所述第二包层中的任一个小，带隙比所述第一芯层、所述第一包层以及所述第二包层中的任一个大的材料。/n
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