[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880032670.8 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110637374A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 中川让;中野佑纪;明田正俊;上野真弥;森诚悟;山本兼司 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张敬强;金成哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置包括：第1导电型的半导体层，其具有一侧的第1主面以及另一侧的第2主面；沟槽栅极构造，其包括形成于上述半导体层的上述第1主面的栅极沟槽、以及经由栅极绝缘层而埋入于上述栅极沟槽的栅极电极；沟槽源极构造，其包括在上述半导体层的上述第1主面从上述栅极沟槽空出间隔地形成为比上述栅极沟槽更深的源极沟槽、埋入于上述源极沟槽的源极电极、以及形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的区域的第2导电型的阱区域，并且，上述沟槽源极构造的深度相对于上述沟槽栅极构造的深度的比为1.5以上且4.0以下；第2导电型的主体区域，其在上述半导体层的上述第1主面的表层部中形成于上述栅极沟槽以及上述源极沟槽之间的区域；第1导电型的源极区域，其形成于上述主体区域的表层部；以及漏电极，其与上述半导体层的上述第2主面连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 栅极沟槽 源极沟槽 导电型 主面 沟槽栅极 主体区域 埋入 源极 半导体装置 栅极绝缘层 源极电极 源极区域 栅极电极 漏电极 阱区域 地形 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n第1导电型的半导体层，其具有一侧的第1主面以及另一侧的第2主面；/n沟槽栅极构造，其包括形成于上述半导体层的上述第1主面的栅极沟槽、以及经由栅极绝缘层而埋入于上述栅极沟槽的栅极电极；/n沟槽源极构造，其包括在上述半导体层的上述第1主面从上述栅极沟槽空出间隔地形成为比上述栅极沟槽更深的源极沟槽、埋入于上述源极沟槽的源极电极、以及形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的区域的第2导电型的阱区域，并且，上述沟槽源极构造的深度相对于上述沟槽栅极构造的深度的比为1.5以上且4.0以下；/n第2导电型的主体区域，其在上述半导体层的上述第1主面的表层部中形成于上述栅极沟槽以及上述源极沟槽之间的区域；/n第1导电型的源极区域，其形成于上述主体区域的表层部；以及/n漏电极，其与上述半导体层的上述第2主面连接。/n
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