[发明专利]利用ALGe的共晶键合在审
| 申请号： | 201880033236.1 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110709350A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 马丁·赫勒;藤田有真 | 申请（专利权）人： | 凯奥尼克公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐梦雅;王刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用第二半导体衬底密封形成在第一半导体衬底中的MEMS器件。为了实现这一点，在第一衬底上形成铝锗结构，在第二衬底上形成多晶硅层。用第二衬底覆盖第一衬底，以使多晶硅层接触铝锗结构。此后，在第一衬底与第二衬底之间执行共晶键合，以使铝锗结构熔化并形成AlGeSi密封剂，从而密封MEMS器件。可选地，铝锗结构部分地包括叠盖铝层的锗层。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 多晶硅层 半导体 密封 熔化 共晶键合 密封剂 叠盖 可选 铝层 锗层 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种使用第二半导体衬底密封形成在第一半导体衬底中的MEMS器件的方法，所述方法包括：/n在所述第一衬底上形成铝锗结构；/n在所述第二衬底上形成多晶硅层；/n用所述第二衬底覆盖所述第一衬底，以使所述多晶硅层接触所述铝锗结构；和/n在所述第一衬底和所述第二衬底之间进行共晶键合，以使所述铝锗结构熔化并形成AlGeSi密封剂，从而密封所述MEMS器件。/n
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