[发明专利]VFET架构内的超长沟道器件有效
| 申请号： | 201880033250.1 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110637367B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | M·波尔格恩达赫尔;E·迷尔乐尔;F·L·利尔;S·特涵;程慷果;J·R·斯普瑞尔;G·卡尔维 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例针对具有超长沟道的垂直场效应晶体管(VFET)的方法和所得结构。在衬底上形成一对半导体鳍片。在衬底上的半导体鳍之间形成半导体柱。在所有半导体鳍下方和部分半导体柱下方延伸的区域掺杂。在半导体鳍片的沟道区域和半导体柱上方形成导电栅极。当栅极被激活时，半导体柱的表面用作扩展的沟道。 | ||
| 搜索关键词： | vfet 架构 超长 沟道 器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：/n在衬底上形成一对半导体鳍片；/n在所述衬底上的半导体鳍片之间形成半导体柱；/n形成底部掺杂区，所述底部掺杂区在全部半导体鳍片下面和部分半导体柱下面延伸；以及/n在所述半导体鳍片的沟道区域和半导体柱上方形成导电栅极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
