[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201880033268.1 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110651368B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | D·B·法尔梅尔;唐建石;J·J·尤尔卡斯;汉述仁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例涉及用于使用润湿层在具有缩放触点的n型碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)中增强驱动电流和增加器件产量的方法和所得结构。在本发明的一些实施例中，在衬底的表面上形成纳米管。在纳米管上形成绝缘层，使得纳米管的端部暴露。在纳米管的端部上形成低功函数金属，并且在低功函数金属和纳米管之间形成润湿层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：/n在衬底表面上形成纳米管；/n在所述纳米管上形成绝缘层；/n暴露所述纳米管的端部；/n在所述纳米管的端部形成低功函数金属；以及/n在所述低功函数金属和所述纳米管之间形成润湿层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880033268.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：涂料电路
- 下一篇：半导体装置布局及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
