[发明专利]化合物半导体基板和其制造方法有效
| 申请号： | 201880033331.1 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110663096B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 加藤光治 | 申请（专利权）人： | X-VI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B29/16;C30B29/36;C30B29/38;C30B33/06;H01L21/20;H01L21/205;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的化合物半导体基板的制造方法包含以下工序：部分基板形成工序，在该部分基板形成工序中，从由化合物半导体的单晶构成的圆形的第1基板至少去除其周缘部的一部分，使包含第1基板的中心的部分形成为第1部分基板(12)；以及第1接合工序，在该第1接合工序中，形成将两个以上的第1部分基板(12)排列并接合在直径比第1基板的直径大的第1支承基板(2)上而成的第1接合基板(71)。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体基板的制造方法，其特征在于，/n该化合物半导体基板的制造方法包含以下工序：/n部分基板形成工序，在该部分基板形成工序中，从由化合物半导体的单晶构成的圆形的第1基板至少去除其周缘部的一部分，使包含所述第1基板的中心的部分形成为第1部分基板；以及/n第1接合工序，在该第1接合工序中，形成将两个以上的所述第1部分基板排列并接合在直径比所述第1基板的直径大的第1支承基板上而成的第1接合基板。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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