[发明专利]用于光电子器件制造的脱模层下的生长结构

摘要

在脱模层下具有晶格过渡的生长结构被用作用于生长光电子器件的籽晶。光电子器件可以是单结或多结光伏器件。可以在外延剥离(ELO)工艺中选择性地去除脱模层，以将光电子器件与生长结构分离，并保留晶格过渡完整的区域，以重新利用该生长结构来生长另外的器件。描述一种制造方法，该方法包括：提供具有衬底和从第一晶格常数到第二晶格常数的晶格过渡的生长结构；在生长结构上沉积脱模层；在脱模层上沉积具有与第二晶格常数匹配的晶格常数并包括光电子器件的外延层；以及去除脱模层以将外延层和光电子器件与生长结构分离。