[发明专利]器件解析装置及器件解析方法有效

专利信息
申请号: 201880034008.6 申请日: 2018-04-18
公开(公告)号: CN110662973B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 松本彻;远藤幸一;中村共则;越川一成 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/00;H01L21/66
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 器件解析装置(1)是执行功率半导体器件(P)的好坏判别的器件解析装置,具备:施加部(12),其对功率半导体器件(P)施加电压信号;光检测部(13),其在多个检测位置(A~D)上检测来自功率半导体器件(P)的光,并输出基于检测结果的检测信号;及判别部(33),其基于检测信号的时间变化,判别功率半导体器件(P)的好坏。
搜索关键词: 器件 解析 装置 方法
【主权项】:
1.一种器件解析装置,其特征在于,/n是执行功率半导体器件的好坏判别的器件解析装置,/n具备:/n施加部,其对所述功率半导体器件施加电压信号;/n光检测部,其在多个检测位置上检测来自所述功率半导体器件的光,并输出基于检测结果的检测信号;及/n判别部,其基于所述检测信号的时间变化,判别所述功率半导体器件的好坏。/n
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