[发明专利]具备吸附力控制的静电吸附基板支撑件有效
| 申请号： | 201880037749.X | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110720137B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | W·G·小博伊德;J·Z·何;Z·丁 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述的实施例提供用于通过在基板处理期间监测及控制基板的偏斜量(由此控制在基板与基板支撑件之间的接触力)，来减少或大致免除对基板的非有效表面的不期望的刮伤的方法及设备。在一个实施例中，一种用于处理基板的方法包括：将该基板定位在基板支撑件的有图案的表面上，其中该基板支撑件被设置在处理腔室的处理容积中，对设置在该基板支撑件中的吸附电极施加吸附电压；将气体流通至设置在该基板及该基板支撑件之间的背侧容积中，监测该基板的偏斜量，以及基于该基板的该偏斜量来改变吸附参数。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 吸附力 控制 静电 吸附 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理基板的方法，所述方法包含：/n将所述基板定位在基板支撑件的有图案的表面上，其中所述基板支撑件被设置在处理腔室的处理容积中；/n对设置在所述基板支撑件中的吸附电极施加吸附电压；/n将气体流通至设置在所述基板和所述基板支撑件之间的背侧容积中；/n监测所述基板的偏斜量；以及/n基于所述基板的所述偏斜量来改变吸附参数。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880037749.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于与刷子无线通信的方法和设备
- 下一篇：用于晶粒接合应用的静电载具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
