[发明专利]半导体层、振荡元件以及半导体层的制造方法有效
| 申请号： | 201880037796.4 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN110741479B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 芦泽公一 | 申请（专利权）人： | 株式会社UACJ |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/24;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 刘金峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供半导体层、振荡元件以及半导体层的制造方法。半导体层包括将通过使氧化铝膜(Al |
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| 搜索关键词： | 半导体 振荡 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体层，其特征在于，/n包括将通过使氧化铝膜含有过量的铝而形成施主能级的n型半导体、与通过使氧化铝膜含有过量的氧而形成受主能级的p型半导体接合而成的pn结。/n
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