[发明专利]用于DRAM的选择性刷新机制在审

专利信息
申请号: 201880038244.5 申请日: 2018-06-18
公开(公告)号: CN110720093A 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: F·I·阿塔拉;G·M·赖特;S·普立亚达尔西;G·M·德拉帕拉;H·W·凯恩三世;E·赫德伯格 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G06F12/0897 分类号: G06F12/0897;G06F12/0895
代理公司: 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 杨林勳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于高速缓存,例如被实施为嵌入式DRAM eDRAM的末级高速缓存,的选择性刷新的系统及方法。刷新位及重用位与所述高速缓存的至少一组的每个路相关。最近最少使用LRU堆栈跟踪所述路的位置,其中朝向阈值的最近最多使用位置的位置包括最近较多使用位置,及朝向所述阈值的最近最少使用位置的位置包括最近较少使用位置。如果满足以下条件,那么选择性地刷新路中的线:所述路的所述位置是所述最近较多使用位置中的一个,且与所述路相关的所述刷新位被设定,或所述路的所述位置是所述最近较少使用位置中的一个,且与所述路相关的所述刷新位及所述重用位两者均被设定。
搜索关键词: 使用位置 高速缓存 重用 最近最少使用位置 末级高速缓存 最近最少使用 嵌入式 堆栈 跟踪
【主权项】:
1.一种刷新高速缓存的线的方法,所述方法包括:/n关联刷新位及重用位与一组所述高速缓存的两个或更多个路中的每一个;/n关联最近最少使用LRU堆栈与所述组,其中所述LRU堆栈包括与所述两个或更多个路中的每一个相关的位置,所述位置范围为最近最多使用位置到最近最少使用位置;/n对所述LRU堆栈指定阈值,其中朝向所述阈值的所述最近最多使用位置的位置包括最近较多使用位置,及朝向所述阈值的所述最近最少使用位置的位置包括最近较少使用位置;及/n如果满足以下条件,那么选择性地刷新所述高速缓存的路中的线:/n所述路的所述位置是所述最近较多使用位置中的一个,且与所述路相关的所述刷新位被设定;或/n所述路的所述位置是所述最近较少使用位置中的一个,且与所述路相关的所述刷新位及所述重用位两者均被设定。/n
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