[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201880038599.4 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN110730905A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 河野高博;与仓久则;藤原刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;H01L21/02;H01L29/84 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具备第1基板(11)、第2基板(12)、氧化膜(13)和保护膜(14)。第1基板具有第1面(11c)。第2基板具有一部分通过大气压等离子体活性而与第1面的一部分相接合的第2面(12b)。氧化膜形成于第1面。保护膜层叠在氧化膜的与第1基板相反侧的表面上。半导体装置的制造方法具备如下工序：在形成了保护膜后，在大气中对第1面实施等离子体活性处理。 | ||
| 搜索关键词： | 第1基板 保护膜 半导体装置 第2基板 氧化膜 大气压等离子体 等离子体活性 氧化膜形成 接合 相反侧 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，/n具备：/n第1基板(11)，具有第1面(11c)；/n第2基板(12)，具有一部分通过大气压等离子体活性而与上述第1面的一部分相接合的第2面(12b)；/n氧化膜(13)，形成于上述第1面；以及/n保护膜(14)，层叠在上述氧化膜的与上述第1基板相反侧的表面上。/n
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