[发明专利]氮化物半导体层叠物、半导体装置、氮化物半导体层叠物的制造方法、氮化物半导体自支撑基板的制造方法以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880038898.8 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110731002A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/38 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10 | ||
| 搜索关键词： | 基板 背面 半导体层 耐热性 氮化物半导体 氮极性面 保护层 层叠物 极性面 相反侧 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体层叠物，其具有：/n基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与所述表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；/n保护层，其至少设置在所述基板的所述背面侧，耐热性比所述基板的所述背面高；以及/n半导体层，其设置在所述基板的所述表面侧，由III族氮化物半导体形成，/n所述半导体层中的O的浓度低于1×10
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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