[发明专利]表膜和表膜组件有效
| 申请号： | 201880040335.2 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN110809736B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | D·F·弗莱斯;C·K·安德;A·F·J·德格鲁特;A·J·M·吉斯贝斯;J·J·詹森;保罗·詹森;J·H·克洛特韦克;P·S·A·克纳彭;E·库尔干诺娃;M·P·梅热尔;W·R·梅金克;M·A·纳萨莱维奇;A·W·诺滕博姆;R·奥尔斯曼;H·帕特尔;玛丽亚·皮特;G·范德博世;W·T·A·J·范登艾登;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;J·P·M·B·沃缪伦;W-P·福尔蒂森;H·J·旺德杰姆;A·N·兹德拉夫科夫 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F1/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王益 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种表膜组件，所述表膜组件包括表膜框架，所述表膜框架限定表膜所附接到的表面。所述表膜组件包括一个或更多个三维膨胀结构，所述三维膨胀结构允许所述表膜在应力下膨胀。本发明还涉及一种用于图案形成装置的表膜组件，包括用于使得表膜朝向图案形成装置和远离图案形成装置移动的一个或更多个致动器。 | ||
| 搜索关键词： | 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司，未经ASML荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880040335.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于非许可频带的发现信道
- 下一篇：光学组件和光学组件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
