[发明专利]用于中段制程的布局技术在审
| 申请号： | 201880041233.2 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110832642A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | T·T·威;T·萨胡;S·苏库玛拉皮莱;A·K·K·文卡特斯瓦尔 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本公开的某些方面，管芯包括一个或多个鳍、栅极和第一源极/漏极接触，该栅极形成在一个或多个鳍的第一部分之上，该第一源极/漏极接触形成在一个或多个鳍的第二部分之上，其中第一源极/漏极接触包括延伸部分，该延伸部分不与一个或多个鳍重叠。管芯还包括由第一金属层形成的第一金属线和第二金属线，其中第一金属线和第二金属线被间隔开。管芯进一步包括第一过孔和第二过孔，该第一过孔将第一源极/漏极接触连接到第一金属线，该第二过孔将第一源极/漏极接触连接到第二金属线，其中第二过孔位于第一源极/漏极接触的延伸部分内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 中段 布局 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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