[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶和氧化物薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201880041330.1 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110770191B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 寺村享祐;深川功儿 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C23C14/34;H01L21/203 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的一个方案的氧化物烧结体是以满足以下的式(1)～(3)的比率含有铟、镓和锌的氧化物烧结体，其由单相的晶体相构成，晶体相的平均粒径为15.0μm以下。0.01≤In/(In+Ga+Zn)＜0.20(1)0.10≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.49(2)0.50≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.89(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 溅射 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物烧结体，其以满足以下的式(1)～(3)的比率含有铟、镓和锌，其由单相的晶体相构成，所述晶体相的平均粒径为15.0μm以下，/n0.01≤In/(In+Ga+Zn)＜0.20 (1)/n0.10≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.49 (2)/n0.50≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.89 (3)。/n
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