[发明专利]静电卡盘及其制法有效
| 申请号： | 201880041614.0 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN110770891B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 久野达也;森冈育久;片居木俊;相川贤一郎 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种静电卡盘(20)，其具备：圆板状的陶瓷基体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(28a)的外侧具有比晶片载置面(28a)低的环状台阶面(24a)，且具有能够发挥库仑力的体积电阻率；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷基体(22)的内部中与晶片载置面(28a)相对的位置；聚焦环吸附用电极(38)，其在陶瓷基体(22)的环状台阶面(24a)上与晶片吸附用电极(32)独立地设置；以及喷镀膜(28)，其被覆设置有聚焦环吸附用电极(38)的环状台阶面(24a)，具有能够发挥约翰逊‑拉别克力的体积电阻率。喷镀膜(28)的上表面为用于载置聚焦环的聚焦环载置面(28a)。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种静电卡盘，其具备：/n圆板状的第1陶瓷构件，其在作为圆形表面的晶片载置面的外侧具有比所述晶片载置面低的环状台阶面，且具有能够发挥库仑力的体积电阻率；/n第1电极，其埋设于所述第1陶瓷构件的内部中与所述晶片载置面相对的位置；/n第2电极，其在所述第1陶瓷构件的所述环状台阶面上与所述第1电极独立地设置；以及/n环状的第2陶瓷构件，其被覆设置有所述第2电极的所述环状台阶面，且具有能够发挥约翰逊-拉别克力的体积电阻率，/n所述第2陶瓷构件的上表面为用于载置聚焦环的聚焦环载置面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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