[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201880041719.6 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN110785901B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 滨口达史;御友重吾;佐藤进;中岛博;伊藤仁道;川西秀和 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造发光元件的方法，至少包括以下步骤：(A)形成堆叠结构20，堆叠结构20包括GaN基化合物半导体，并且在堆叠结构中堆叠以下层：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22，并在第一化合物半导体层21的第一面侧形成凹面镜部43；然后(B)在第二化合物半导体层22上形成光敏材料层35；并且然后(C)使光敏材料层35暴露于通过堆叠结构20的来自凹面镜部侧的光，从而获得包括光敏材料层35的处理掩模层，并且然后使用处理掩模层对第二化合物半导体层22进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造发光元件的方法，所述方法至少包括以下步骤：/n形成包含GaN基化合物半导体的堆叠结构，并且在所述堆叠结构中堆叠以下层：/n第一化合物半导体层，具有第一面和与第一面相对的第二面，/n有源层，面对所述第一化合物半导体层的第二面，以及/n第二化合物半导体层，具有面对所述有源层的第一面和与该第一面相对的第二面，并且在所述第一化合物半导体层的第一面侧形成凹面镜部；/n然后，在所述第二化合物半导体层上形成光敏材料层；/n之后，使所述光敏材料层暴露于通过所述堆叠结构的来自所述凹面镜部侧的光，以获得包括所述光敏材料层的处理掩模层；以及/n之后，通过使用所述处理掩模层来处理所述第二化合物半导体层。/n
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