[发明专利]键合垫层系统、气体传感器和用于制造气体传感器的方法在审
| 申请号： | 201880041909.8 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110785375A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | M·克瑙斯;H·内德尔曼;B·克莱因;V·孔德拉绍夫;R·巴拉基;M·拉皮萨;H·韦伯;A·朔伊尔勒;I·西蒙;M·德尔霍伊西 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/768;H01L23/00;H01L23/532;B81B7/00 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明建立键合垫层系统(1)、气体传感器和用于耐高温的键合垫层系统(1)的制造方法。键合垫层系统(1)沉积在作为基底的半导体芯片、例如微机械半导体芯片(11)上，在该微机械半导体芯片中集成有由介电层(13、14)组成的至少一个悬置的介电膜片、铂印制导线(10)和由铂制成的加热件(15)。在此，首先进行钽层(6)的沉积，在该钽层上进行第一铂层(5)的沉积，在该第一铂层上进行氮化钽层(4)的沉积，在该氮化钽层上进行第二铂层(3)的沉积，并且在该第二铂层上进行金层(2)的沉积，其中，在金层(2)中构造用于与键合线(8a)连接的至少一个键合垫(8)。键合垫(8)基本上位于半导体芯片(11)上的接触孔(9)的区域中和/或位于该区域外部，在该区域中借助于环形接触部实现引导至加热件(15)的铂印制导线(10)的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 键合 半导体芯片 铂层 垫层 氮化钽层 印制导线 加热件 微机械 金层 钽层 环形接触部 气体传感器 介电膜片 区域外部 键合线 接触孔 介电层 耐高温 基底 悬置 中和 制造 | ||
【主权项】：
1.键合垫层系统(1)，该键合垫层系统包括：/n作为基底的半导体芯片(11)，在该半导体芯片上依次沉积有：/n钽层(6)，/n第一铂层(5)，/n氮化钽层(4)，/n第二铂层(3)，和/n金层(2)，/n其中，在所述金层(2)中构造用于与键合线(8a)连接的至少一个键合垫(8)。/n
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