[发明专利]具有电阻器的存储器单元及其形成在审
| 申请号： | 201880042493.1 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110800120A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | F·佩里兹;A·雷达埃利;A·皮罗瓦诺;I·托尔托雷利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L25/065 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包含具有电阻器的存储器单元及其形成方法。一种实例方法包含形成第一导电线，形成第二导电线及在所述第一导电线与所述第二导电线之间形成存储器元件。形成所述存储器元件可包含形成一或多种存储器材料，及形成与所述一或多种存储器材料串联的电阻器。所述电阻器可经配置以在所述存储器元件的状态转变期间减少通过所述存储器元件的电容性放电。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器元件 导电线 电阻器 存储器材料 存储器单元 电容性放电 状态转变 串联 配置 | ||
【主权项】：
1.一种形成存储器单元的方法，其包括：/n形成第一导电线；/n形成第二导电线；及/n在所述第一导电线与所述第二导电线之间形成存储器元件，其中形成所述存储器元件包含：/n形成一或多种存储器材料；及/n形成与所述一或多种存储器材料串联的电阻器，其中所述电阻器经配置以在所述存储器元件的状态转变期间减少通过所述存储器元件的电容性放电。/n
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