[发明专利]具有低电容场板结构的晶体管在审
| 申请号： | 201880042524.3 | 申请日： | 2018-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN110785854A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | C·J·麦克唐纳;K·A·威尔逊;K·T·阿拉维;A·D·威廉斯 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/338;H01L29/40;H01L23/29;H01L29/20 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 场效应晶体管(FET)，具有沿半导体表面横向布置的源极、漏极和栅极以及场板结构：该场板结构具有连接到源极的一端；以及布置在栅极和漏极之间并通过间隙(37)与漏极分开的另一端。介电结构布置在半导体之上，其具有：布置在场板结构的另一端之下的第一部分；以及，在间隙下的较薄的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 场板结构 源极 场效应晶体管 半导体表面 横向布置 介电结构 板结构 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(FET)，包括：/n沿半导体的表面横向布置的第一电极结构、栅极电极结构和第二电极结构，所述栅极控制所述第一电极结构和所述第二电极结构之间的载流子的流动；/n场板结构：具有连接至所述第一电极结构的一端；以及具有布置在所述栅极电极结构和所述第二电极结构之间的第二端，所述第二端通过间隙与所述第二电极结构分开；以及/n介电结构，布置在所述半导体之上，具有：布置在所述场板结构的所述第二端下的第一部分；以及在所述间隙下的较薄的第二部分。/n
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