[发明专利]薄膜形成用原料、薄膜的制造方法以及新型化合物在审
| 申请号： | 201880043465.1 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110799665A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 西田章浩;冈田奈奈;大江佳毅 | 申请（专利权）人： | 株式会社ADEKA |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C07F17/00;C23C16/18;H01L21/316;C07F7/28 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种安全性、搬运性以及生产性优异的能用于CVD法的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及用作薄膜形成用原料的新型化合物。为了实现上述目的，本发明是一种含有下述通式(1)所示的化合物的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及在说明书中由通式(2)表示的新型化合物。[式(1)中，X表示卤素原子，R表示碳原子数1～5的伯烷基或仲丁基。] | ||
| 搜索关键词： | 薄膜形成 式( 1 ) 新型化合物 薄膜 烷基 卤素原子 碳原子数 生产性 仲丁基 搬运 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成用原料，其含有通式(1)所示的化合物，/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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