[发明专利]用于除去晶体材料表面的非晶钝化层的化学清洁组合物在审
| 申请号： | 201880043734.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110892511A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | C·皮泽蒂;M·奥杜安;J·达维奥;N·皮亚洛;P·韦尔南 | 申请（专利权）人： | 法国技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及适合于从基底(1A，1B，4)上除去钝化层(2)的化学清洁组合物，所述钝化层(2)包括由所述基底(1A，1B，4)的刻蚀产生的刻蚀残留物，所述化学清洁组合物包括：弱酸，所述弱酸包括乙酸，相对于化学组合物的重量，弱酸的量在20重量％和95重量％之间，优选在0重量％和80重量％之间；非氧化性强酸，所述非氧化性强酸包括甲磺酸，相对于化学组合物的重量，非氧化性强酸的量在5重量％和50重量％之间，优选在15重量％和50重量％之间；氢氟酸，相对于化学组合物的重量，氢氟酸的量在0.2重量％和2重量％之间；水，相对于化学组合物的重量，水的量在2重量％和20重量％之间。本发明还涉及从基底(1A，1B，4)上除去钝化层(2)的清洁方法，所述钝化层(2)包括由所述基底(1A，1B，4)的刻蚀产生的刻蚀残留物，所述方法包括以下步骤：提供根据前述组成的化学清洁组合物；使所述化学清洁组合物与钝化层(2)接触足够的时间，以从基底(1A，1B，4)上除去所述钝化层(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 除去 晶体 材料 表面 钝化 化学 清洁 组合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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