[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序在审
| 申请号： | 201880043858.2 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110832621A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 芳贺健佑;森谷敦;中矶直春;宫仓敬弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过使包含下述工序的循环进行规定次数，从而对在衬底的表面形成的膜的一部分进行蚀刻：在将表面形成有膜的衬底收容在处理室内的状态下，一边使处理室内的压力上升一边向处理室内供给蚀刻气体的工序；和在停止向处理室内的蚀刻气体供给的状态下，通过对处理室内进行排气而使处理室内的压力下降的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
