[发明专利]封装装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880046237.X | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110914962A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 中村智宣;前田彻;高野彻朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社新川 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 日本东京武藏村*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种封装装置，其将半导体芯片12接合于作为基板30或其它半导体芯片12的被封装体而制造半导体装置，所述封装装置包括：平台120，载置有所述基板30；封装头124，相对于所述平台120可进行相对移动，并将所述半导体芯片12接合于所述被封装体；照射单元108，透射所述平台，并且自平台120的下侧照射对所述基板30进行加热的电磁波，所述平台120具有形成于上表面侧的第一层122，且第一层122的面方向上的热阻力大于厚度方向上的热阻力。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 装置 以及 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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