[发明专利]溅射靶、氧化物半导体膜的成膜方法以及背板有效

专利信息
申请号: 201880047311.X 申请日: 2018-08-01
公开(公告)号: CN110892089B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 海上晓 申请(专利权)人: 出光兴产株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C04B35/453;H01L21/363
代理公司: 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 代理人: 陈亦欧;毛立群
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的溅射靶(1)中,板状的氧化物烧结体(3)具有沿Y方向排列的多个区域,多个区域具有:端部区域(7A、7B),是包括Y方向上的端部的区域;内侧区域(9A、9B),是从端部朝向Y方向计数处于内侧第2个的区域,在将端部区域(7A、7B)的板厚设为t1,端部区域(7A、7B)的Y方向的宽度设为L1,内侧区域(9A、9B)的板厚设为t2的情况下,t1、L1以及t2满足以下的式(1)~(4),t2t1…(1),t1(mm)L1(mm)×0.1+4…(2),t1(mm)9…(3),10L1(mm)35…(4)。
搜索关键词: 溅射 氧化物 半导体 方法 以及 背板
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于出光兴产株式会社,未经出光兴产株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880047311.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top