[发明专利]消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法在审
申请号: | 201880047501.1 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN110892501A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 帕特里克·布莱琳;拉梅什·钱德拉塞卡拉;克洛伊·巴尔达赛罗尼;金成杰;伊时塔克·卡里姆;迈克·罗伯茨;理查德·菲利普斯;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种用于等离子体处理系统的基座组件。组件包括基座,所述基座具有中央顶表面,如台面,且中央顶表面从中央顶表面的中心延伸到中央顶表面的外径。环形表面围绕中央顶表面。环形顶表面设置在从中央顶表面向下的台阶处。多个晶片支撑件以在中央顶表面上方的支撑件高程距离从中央顶表面突出。多个晶片支撑件围绕中央顶表面的内半径均匀地布置。内半径位于中央顶表面的中心和小于中半径处之间,中半径介于基座的中心与中央顶表面的外径之间的约一半。提供了承载环,其被配置用于定位在基座的环形表面上。承载环具有承载环内径、承载环外径以及围绕承载环的顶部内部区域环形地布置的凸缘表面,凸缘表面凹入到承载环的顶部外部区域的下方。多个承载环支撑件被设置在基座的环形表面的外部。当承载环搁置在多个承载环支撑件上时,承载环支撑件限定承载环的在基座的中央顶表面上方的承载环高程尺寸,承载环高程尺寸被配置为高于基座的中央顶表面,高于支撑件高程距离。 | ||
搜索关键词: | 消除 晶片 背面 边缘 缺口 沉积物 接触 硬件 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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