[发明专利]具有LOCOS沟槽的半导体器件在审
| 申请号： | 201880047728.6 | 申请日： | 2018-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN110914997A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 路德-金·恩格文森;伊恩·德文尼;约翰·哈钦斯 | 申请（专利权）人： | 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种栅极控制的半导体器件，包括：第一导电类型的集电极区；设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；第二导电类型的至少一个第一接触区，所述至少一个第一接触区设置于所述主体区上方，并且与所述主体区相比，具有更高的掺杂浓度。所述器件还包括第一导电类型的至少一个第二接触区，所述至少一个第二接触区设置成与所述至少一个第一接触区横向相邻，所述至少一个第二接触区比所述主体区具有更高的掺杂浓度。所述器件还包括从表面延伸到所述漂移区中的至少一个有源沟槽，其中，所述至少一个第一接触区邻接所述至少一个有源沟槽，使得在使用中，沿着所述至少一个有源沟槽并在所述主体区内形成沟道区。所述至少一个有源沟槽包括：两个垂直侧壁以及所述两个垂直侧壁之间的底表面；以及沿着所述垂直侧壁和所述底表面的绝缘层，其中，沿着至少一个垂直侧壁的所述绝缘层包括不同的厚度；从所述表面延伸到所述漂移区中的至少一个辅助沟槽。所述至少一个辅助沟槽包括：两个垂直侧壁以及所述两个垂直侧壁之间的底表面；以及沿着所述垂直侧壁和所述底表面的绝缘层，其中，沿着至少一个垂直侧壁的所述绝缘层包括恒定的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 locos 沟槽 半导体器件 | ||
【主权项】：
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