[发明专利]抑制钴、氧化铝、层间绝缘膜、氮化硅的损伤的组成液及使用其的清洗方法在审
| 申请号： | 201880048233.5 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110945631A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 尾家俊行;普林安加·柏达那·普特拉;堀田明伸 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D7/08;C11D7/32;C11D7/50;C11D17/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及适于具有低介电常数层间绝缘膜的半导体元件的清洗的组成液及半导体元件的清洗方法。本发明的组成液的特征在于，其含有四氟硼酸(A)0.01～30质量％、或(硼酸/氟化氢)＝(0.0001～5.0质量％/0.005～5.0质量％)的硼酸(B1)及氟化氢(B2)，所述组成液的pH处于0.0～4.0的范围。本发明的组成液适合用于抑制在半导体集成电路的制造工序中的低介电常数层间绝缘膜、钴或钴合金、氧化铝、氧化锆系硬掩膜、氮化硅的损伤、并去除在半导体集成电路的表面存在的干蚀刻残渣。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 氧化铝 绝缘 氮化 损伤 组成 使用 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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