[发明专利]散热性芯片接合膜及切割-芯片接合膜有效
| 申请号： | 201880048265.5 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN110945634B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 上野惠子;增子崇;管井颂太 | 申请（专利权）人： | 株式会社力森诺科 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;C09J7/00;C09J11/04;C09J11/06;C09J133/00;C09J163/00;C09J201/00;H01L21/301;H01L23/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及散热性芯片接合膜，其是热导率为2W/(m·K)以上的散热性芯片接合膜，其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，切割工序中的刀片摩耗量为50μm/m以下；或者其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，热导性填充物的含量为20～85质量％。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 芯片 接合 切割 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
