[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880048889.7 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110998810B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 河野宪司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L21/338;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具备JFET(10)、MOSFET(20)、以及配置在JFET(10)的栅极电极(13)与MOSFET(20)的源极电极(21)之间的JFET用调整电阻(42)，JFET(10)的源极电极(11)和MOSFET(20)的漏极电极(22)电连接，从而JFET(10)和MOSFET(20)被级联连接。并且，JFET用调整电阻(42)具有接通动作用的第1电阻电路(421)及断开动作用的第2电阻电路(422)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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