[发明专利]混合忆阻器/场效应晶体管存储器单元及其信息编码方法有效
| 申请号： | 201880049046.9 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110998731B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 郑光廷;米格尔·安吉尔·拉斯特拉斯蒙塔诺 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电阻式随机存取存储器(ReRAM)包括混合存储器单元。混合存储器单元包括：(a)左电阻开关器件，包括第一端子和第二端子；(b)右电阻开关器件，包括第一端子和第二端子，其中右电阻开关器件的第一端子在内部节点处连接到左电阻开关器件的第一端子；以及(c)晶体管，包括源极端子、漏极端子和栅极端子，其中晶体管的漏极端子在内部节点处连接到左电阻开关器件和右电阻开关器件。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 忆阻器 场效应 晶体管 存储器 单元 及其 信息 编码 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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