[发明专利]溅射靶、氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管以及电子设备在审
| 申请号： | 201880050200.4 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN111032905A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 大山正嗣;丝濑麻美 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/01;C04B35/453;H01L21/363 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 陈亦欧;毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种溅射靶，其特征在于，具备氧化物烧结体，该氧化物烧结体含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)、X元素以及氧，各元素的原子比满足下述式(1)，该氧化物烧结体还包含以Zn |
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| 搜索关键词： | 溅射 氧化物 半导体 薄膜 薄膜晶体管 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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