[发明专利]用于生产密封光半导体装置的方法有效

专利信息
申请号: 201880050214.6 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN111033770B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 北浦英二;尼子雅章;S·斯威尔 申请(专利权)人: 杜邦东丽特殊材料株式会社;美国陶氏有机硅公司
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56;H01L33/50;H01L33/54
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 钱文宇;陈哲锋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种用于生产密封光半导体装置的方法,所述方法使得可能使用密封膜以简单且高度可靠的方式密封光半导体元件。所述方法包括以下步骤:其中在减压室内将密封膜放置在其上放置光半导体元件的光半导体元件基板上,并降低所述减压室内的压力的步骤;其中加热所述密封膜并且使所述密封膜的至少周边热熔合到所述光半导体元件置放基板的表面的步骤;以及其中释放所述减压室内的减压并且通过所述密封膜密封所述光半导体元件置放基板的步骤。当释放所述减压室内的减压时所述光半导体元件置放基板的温度T2为所述密封膜展现了0.02‑0.15MPa的拉伸强度以及150%‑450%的断裂伸长率的温度。
搜索关键词: 用于 生产 密封 半导体 装置 方法
【主权项】:
暂无信息
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