[发明专利]银纳米线的制造方法以及银纳米线、银纳米线墨及透明导电膜在审
| 申请号： | 201880051097.5 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN111032257A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 佐藤王高 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/02;B82Y30/00;B82Y40/00;C09D11/52;H01B1/22;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张智慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
课题：在用醇溶剂还原法合成银纳米线时，稳定地生成特别细的线。解决手段：银纳米线的制造方法，其具有在溶解有银化合物、有机保护剂的醇溶剂中使银还原析出为线状的工序，其中，作为所述有机保护剂的供给源，使用下述粉体：以具有乙烯基吡咯烷酮结构单元的聚合物为主成分、相对于1摩尔所述聚合物以0.002～0.040摩尔的比例含有醋酸酯，该银纳米线的平均直径D |
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| 搜索关键词： | 纳米 制造 方法 以及 透明 导电 | ||
【主权项】：
暂无信息
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