[发明专利]包含聚碳硅烷的碳化硅质膜形成组合物、以及使用了其的碳化硅质膜的制造方法有效
申请号: | 201880051100.3 | 申请日: | 2018-08-07 |
公开(公告)号: | CN111051389B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 冈村聪也 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司 |
主分类号: | C08G77/60 | 分类号: | C08G77/60;C09D183/16;C08G77/32 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘卓然 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
[问题]本发明提供一种包含聚碳硅烷的组合物,其埋入性优异,可在更低温进行成膜,且使制造出的膜的电特性优异。[解决方案]一种碳化硅质膜形成组合物,其包含聚碳硅烷以及溶剂,前述聚碳硅烷的 |
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搜索关键词: | 包含 硅烷 碳化硅 质膜 形成 组合 以及 使用 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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