[发明专利]交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置在审
| 申请号： | 201880051133.8 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN111033779A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 斋藤正路;远藤广明;小池文人 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
作为固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大、高温条件下的稳定性高、并且强磁场耐性优的交换耦合膜，而提供交换耦合膜(10)，其特征在于，由反强磁性层(2)与具备强磁性层的固定磁性层(3)层叠而成，反强磁性层(2)具有由PtCr层(2A)、tMn层(2B)及IrMn层(2C)以该顺序层叠而成的构造，IrMn层(2C)与固定磁性层(3)接触。PtMn层(2B)的膜厚为 |
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| 搜索关键词： | 交换 耦合 以及 使用 磁阻 效应 元件 检测 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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