[发明专利]互连件的钴填充有效
| 申请号： | 201880052018.2 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN111032922B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 约翰·科曼德;凯尔·惠滕;小文森特·帕内卡西奥;孙绍鹏;埃里克·雅各布森;韩建文;埃利·纳贾尔 | 申请（专利权）人： | 麦克德米德乐思公司 |
| 主分类号： | C25D3/16 | 分类号： | C25D3/16;C25D5/02;C25D7/12;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘卓然 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供了组合物以及使用此类组合物将钴电镀到包括亚微米尺寸电互连特征的半导体基底结构上的方法。通过以下方式使互连特征金属化：使半导体基底结构与电解组合物接触，该电解组合物包含钴离子源、抑制剂、缓冲剂、以及去极化化合物和均匀度增强剂中的一者或多者。将电流提供给电解组合物以将钴沉积到基底结构上并且用钴填充亚微米尺寸特征。本文提出的方法可用于对互连特征进行超级填充。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 填充 | ||
【主权项】：
暂无信息
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