[发明专利]用于检测电磁辐射的组件以及生产用于检测电磁辐射的组件的方法在审
申请号: | 201880052598.5 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN111033742A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 托马斯·弗勒利希;迈克尔·莱特纳;托马斯·特罗克勒;约瑟夫·佩特尔;多米尼克·霍林格;托马斯·穆勒;安德里亚斯·菲齐;延斯·霍弗里希特 | 申请(专利权)人: | AMS国际有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
地址: | 瑞士拉*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种组件包括:具有有源像素阵列(2)的半导体器件(1);安装在有源像素阵列外部的一个或更多个读出电路芯片(3),以及有源像素阵列(2)与一个或更多个读出电路芯片(3)之间的电连接,所述一个或更多个读出电路芯片(3)被配置为读出由有源像素阵列(2)提供的电压或电流。 | ||
搜索关键词: | 用于 检测 电磁辐射 组件 以及 生产 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的