[发明专利]具有导电性纳米结构的多孔质导电体、使用了该多孔质导电体的蓄电器件有效
| 申请号： | 201880053703.7 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN111033659B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 星野胜义;菅原阳辅;山田理央;马郡葵;青木信之;土师圭一朗;村松大辅 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人千叶大学;株式会社巴川制纸所 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/70;H01M4/02;H01G11/02;H01G11/68 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;宋海花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种具有高放电容量、高反复充放电耐久性、能够实现更便宜的蓄电器件的、使用了表面形成有导电性纳米结构的多孔质导电体的蓄电器件用电极。作为解决本发明课题的手段涉及一种多孔质导电体，是作为蓄电器件用电极使用的多孔质导电体，其特征在于，在上述多孔质导电体的表面具有多个导电性纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导电性 纳米 结构 多孔 导电 使用 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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