[发明专利]将绝缘材料沉积到导电孔中的方法有效

专利信息
申请号: 201880054000.6 申请日: 2018-07-31
公开(公告)号: CN111032909B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 法比安·皮亚拉;朱利安·维蒂耶洛 申请(专利权)人: 库伯斯股份有限公司
主分类号: C23C16/04 分类号: C23C16/04;C23C16/455;C23C16/505;H01L21/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 金海霞;刘慧
地址: 法国蒙特邦*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种将材料层(4、5、6)沉积到基板(20)上的方法,包括:‑根据第一脉冲序列,通过第一喷射路径将具有这种绝缘材料的前体的第一化学物质气相喷射到化学气相沉积反应器的沉积室中;‑根据相对于所述第一脉冲序列有相位移的第二脉冲序列,通过第二喷射路径将具有适于与这种前体反应的反应物的第二化学物质气相喷射到所述沉积室中;‑在所述第一序列和第二序列中的至少一者的至少一次脉冲期间,依序产生所述第一化学物质和/或所述第二化学物质的等离子体,其中这样的等离子体是由应用于所述第一喷射路径和第二喷射路径的高频(HF)等离子体源和低频(LF)等离子体源产生的,所述低频(LF)等离子体源功率与所述高频(HF)等离子体源功率比大于1。
搜索关键词: 绝缘材料 沉积 导电 中的 方法
【主权项】:
暂无信息
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