[发明专利]与高选择性氧化物移除及高温污染物移除整合的外延系统在审
| 申请号： | 201880054151.1 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN111033713A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 劳拉·哈夫雷查克;劳建邦;埃罗尔·C·桑切斯;舒伯特·S·楚;图沙尔·曼德雷卡尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H05H1/46;H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个实施方案中，处理系统包括第一转移腔室、第二转移腔室、过渡站、第一等离子体腔室、及装载锁定腔室，第一转移腔室耦接到至少一个外延处理腔室，过渡站设置于第一转移腔室与第二转移腔室之间，第一等离子体腔室耦接至第二转移腔室，以用于从基板的表面移除氧化物，装载锁定腔室耦接至第二转移腔室。过渡站连接到第一转移腔室与第二转移腔室，并且过渡站包括用于从基板的表面移除污染物的第二等离子体腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 氧化物 高温 污染物 整合 外延 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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