[发明专利]制造多个飞行时间传感器器件的方法有效
| 申请号： | 201880055865.4 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN111052406B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 哈拉尔德·埃齐梅尔;托马斯·博德纳 | 申请（专利权）人： | AMS有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/173 | 分类号： | H01L31/173;G01S7/481 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 侯丽英;刘继富 |
| 地址： | 奥地利普*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造多个飞行时间传感器器件(1)的方法，包括为飞行时间传感器器件(1)中的相应的一个提供包括多个晶片部分(110)的晶片(100)的步骤，其中晶片部分(110)中的每个包括第一光检测区域(10)和第二光检测区域(20)以及相应的光发射装置(30)。相应的光发射装置(30)和相应的第一光检测区域(10)被透光材料(130)的第一容积(40)封装，并且相应的第二光检测区域(20)被透光材料(130)的第二容积(50)封装。在分割器件(1)之前，将不透明材料(60)布置在透光材料(130)的相应的第一容积和第二容积(40、50)之间的空间(120)中的晶片部分(110)上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 飞行 时间 传感器 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
