[发明专利]双晶片结合的气密性密封分子光谱单元在审
| 申请号： | 201880056757.9 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN111052388A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | A·J·弗吕林;J·A·赫尔布斯摩;B·S·库克;S·J·雅各布斯 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01Q17/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包括在衬底上形成(202、204、206)氧化物层和金属层。例如，这些层可以包括夹在氧化硅层之间的金属层。然后将非导电结构比如玻璃结合(208)到氧化物层中的一个。然后可以将天线图案化(210)在非导电结构上，并且可以在衬底中形成(212)腔。另一金属层沉积(214)在腔的表面上，并且将圈图案化(216)在金属层中以暴露氧化物层中的一个。在第二衬底上形成(220)另一金属层，并将这两个衬底结合在一起，从而密封该腔。 | ||
| 搜索关键词： | 双晶 结合 气密性 密封 分子 光谱 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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