[发明专利]固体摄像装置在审
申请号: | 201880057247.3 | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN111095562A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 高木慎一郎;间瀬光人;平光纯;米田康人;村松雅治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N5/372 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 光感应区域包含第一杂质区域、及与第一杂质区域相比杂质浓度较高的第二杂质区域。光感应区域具有在第二方向上远离传送部的一端、与在第二方向上靠近传送部的另一端。第二杂质区域的俯视时的形状相对于沿着第二方向的光感应区域的中心线为线对称。第二杂质区域在第一方向上的宽度沿自一端朝向另一端的传送方向增加。将光感应区域在第二方向上分割成n个的各区间中的第二杂质区域的宽度的增加率在传送方向上逐渐增大。n为2以上的整数。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的