[发明专利]包括绝缘材料和存储器单元的垂直交替层的存储器阵列以及形成存储器阵列的方法

摘要

一种存储器阵列包括绝缘材料和存储器单元的垂直交替层。所述存储器单元个别地包括晶体管和电容器。所述电容器包括第一电极，其电耦合到所述晶体管的源极/漏极区。所述第一电极包括直线水平横截面中的环形，以及从所述第一电极环形径向朝内的电容器绝缘体。第二电极从所述电容器绝缘体径向朝内。电容器‑电极结构竖向延伸穿过所述垂直交替层。所述电容器中的个别电容器的所述第二电极中的个别第二电极电耦合到所述竖向延伸的电容器‑电极结构。感测线电耦合到在不同存储器‑单元层中的多个所述晶体管的另一源极/漏极区。本文公开包含方法的额外实施例和方面。