[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201880059522.5 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN111133588B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 竹内有一;海老原康裕;杉本雅裕;山下侑佑 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在以一个方向为长度方向的沟槽栅构造的下方，配置具有以与沟槽栅构造交叉的方向为长度方向的JFET部(3)及电场阻挡层(4)的饱和电流抑制层(3、4)。此外，JFET部(3)和电场阻挡层(4)为交替地反复形成的条形状，将JFET部(3)做成具有第1导电型杂质浓度比较高的第1层(3b)和第1导电型杂质浓度比其低的第2层(3c)的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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