[发明专利]窄深沟槽的沉降物至掩埋层连接区域有效
| 申请号： | 201880059741.3 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN111108593B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | B·胡;A·萨多夫尼科夫;S·K·蒙哥马利 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/76;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成IC的方法包括在掺杂有第一类型的衬底(102)中形成掺杂有第二类型的掩埋层(BL)(106)。蚀刻深沟槽直至BL，深沟槽包括较窄的内沟槽环和较宽的外沟槽环。第一深沉降物(122)注入使用具有第一剂量、第一能量和第一倾角的第二类型的离子。第二深沉降物(182)注入使用具有小于第一剂量的第二剂量、大于第一能量的第二能量以及小于第一倾角的第二倾角的第二类型的离子。外沟槽环和内沟槽环被电介质衬里。从外沟槽环的底部去除电介质衬层。外沟槽环填充有导电填充材料，该导电填充材料与衬底接触并填充内沟槽环。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 沉降 掩埋 连接 区域 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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