[发明专利]具有中间配线层的三维闪存器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201880059758.9 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN111133580B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 宋润洽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B41/30;H10B41/40;H10B43/20;H10B43/30;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张川绪;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开具有中间漏极的三维闪存器件及其制造方法。根据一实施例，三维闪存器件包括：串接体，包括沟道层及多个电极层，上述沟道层沿着一方向延伸形成，上述多个电极层对于上述沟道层垂直层叠；上部配线层，配置于至少一个上述串接体的上部；至少一个中间配线层，在至少一个上述串接体的中间区域中，配置于上述多个电极层之间；以及下部配线层，配置于上述串接体的下部，将上述上部配线层、上述至少一个中间配线层及上述下部配线层分别适应性地用作漏极或源极中的一个。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 中间 配线层 三维 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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