[发明专利]具有高电流容量的馈线设计在审

专利信息
申请号: 201880059799.8 申请日: 2018-09-14
公开(公告)号: CN111164759A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 侯赛因·伊莱希帕纳;尼古拉斯·蒂埃里-杰巴里;阿道夫·舍纳;谢尔盖·雷沙诺夫 申请(专利权)人: 阿斯卡顿公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/16
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 王建国;许伟群
地址: 瑞典*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种馈线设计,其被制造为由SiC半导体材料形成的结构,该结构包括至少两个位于n型SiC材料(3)中的p型栅格,并且包括至少一个外延生长的p型区域,其中在所述至少一个外延生长的p型区域上施加欧姆触点,在至少两个p型栅格的至少一部分和n型SiC材料(3)上施加外延生长的n型层,其中至少在至少分别靠近所述至少第一和第二拐角的第一和第二区域中施加所述至少两个p型栅格(4,5),并且在没有任何栅格的第一和第二区域之间,在n型SiC材料(3)中存在一区域。
搜索关键词: 具有 电流 容量 馈线 设计
【主权项】:
暂无信息
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